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Infineon英飞凌FD200R12KE3HOSA1模块IGBT MODULE 1200V 1050W:参数解读与方案应用 随着电力电子技术的不断发展,IGBT模块在各种工业应用中发挥着越来越重要的作用。今天,我们将深入了解Infineon英飞凌FD200R12KE3HOSA1模块的参数及其在各种方案中的应用。 首先,让我们来了解一下FD200R12KE3HOSA1模块的基本参数。该模块是一款1200V、1050W的IGBT MODULE,具有出色的电气性能和可靠性。其开通/关断电压范围为±
标题:Infineon(IR) IRGS15B60KDTRRP功率半导体IGBT及其应用技术方案介绍 Infineon(IR)的IRGS15B60KDTRRP功率半导体IGBT是一种具有独特特性的电子器件,以其高效率、高可靠性以及低能耗等优点在电力转换领域中发挥着重要作用。这款IGBT采用了UltraFast、SoftRecovery D技术,使得其在开关过程中具有极高的瞬态响应速度和优异的热稳定性。 首先,我们来了解一下UltraFast、SoftRecovery D技术。该技术通过优化IG
Infineon英飞凌FF300R12KT4HOSA1模块IGBT MOD 1200V 450A 1600W:参数解读与方案应用 一、简介 Infineon英飞凌FF300R12KT4HOSA1模块是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块,其工作电压高达1200V,电流容量为450A,总功率达到1600W。这种模块广泛应用于各种高电压、大电流的电子设备中,如逆变器、变频器、电机驱动等。 二、参数解读 1. 工作电压:1200V,意味着该模块可以在高达1200V的电压下正常工作,具有极高
标题:Infineon(IR) IRG7PH35UPBF功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 Infineon(IR)的IRG7PH35UPBF是一种高性能的功率半导体IGBT,其独特的ULTRAFAST SOFT RECOVERY D技术使其在各种应用中表现出色。 首先,IRG7PH35UPBF的特性使其在各种恶劣环境下仍能保持稳定的性能。其快速软恢复特性使得它在开关过程中具有更高的效率,更低的损耗,以及更少的热量产生。这使得该器件在需要高功率转换和快速响应的应用中具有显著的优势。 其次,
Infineon英飞凌FF200R12KT4HOSA1模块IGBT MOD 1200V 320A 1100W:参数解读与方案应用 一、概述 Infineon英飞凌的FF200R12KT4HOSA1模块是一款高性能的IGBT模块,其工作电压高达1200V,电流容量为320A,总功率达到1100W。这种模块广泛应用于各种高电压,大电流的电子设备中,如变频器,逆变器,电机驱动系统等。 二、参数详解 1. 工作电压:该模块的工作电压高达1200V,保证了在高压环境下也能稳定工作。 2. 电流容量:模块
标题:Infineon(IR) IKB20N60H3ATMA1功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 Infineon(IR)的IKB20N60H3ATMA1是一款高性能的功率半导体IGBT,其特点包括600V的电压,40A的电流,以及高达170W的功率。这款器件采用TO263-3封装,具有紧凑的尺寸和良好的热性能,使其在各种电子设备中具有广泛的应用前景。 首先,IKB20N60H3ATMA1 IGBT的制造技术非常先进。它采用先进的半导体工艺,包括掺杂、薄膜生长、切割、划片、封装等步骤,确保
Infineon英飞凌F3L25R12W1T4B27BOMA1模块——1200V IGBT EASY1B-2的参数及应用方案 一、概述 Infineon英飞凌F3L25R12W1T4B27BOMA1模块是一款高性能的1200V IGBT EASY1B-2模块,适用于各种工业和电动汽车应用。该模块具有出色的性能和可靠性,能够提供高效的电能转换和强大的功率输出。 二、主要参数 1. 电压范围:该模块的工作电压范围为1200V,能够承受高电压的电气应力。 2. 电流容量:该模块的额定电流为12A,能
标题:Infineon(IR) IRGSL4640DPBF功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展,功率半导体器件在各种电子设备中的应用越来越广泛。Infineon(IR)的IRGSL4640DPBF功率半导体IGBT,以其独特的ULTRAFAST SOFT RECOVERY D技术,在提高性能的同时,也降低了能耗和系统成本。 首先,让我们了解一下IRGSL4640DPBF的特性。IRGSL4640DPBF是一款高性能的IGBT,具有快速软恢复(ULTRAFAST SOFT
随着电力电子技术的不断发展,IGBT模块在各种工业应用中发挥着越来越重要的作用。Infineon英飞凌的FZ3600R17KE3B2NOSA1模块,以其出色的性能和稳定性,成为了众多工程师的首选。本文将详细介绍该模块的参数及方案应用。 一、FZ3600R17KE3B2NOSA1模块参数 1. 型号规格:FZ3600R17KE3B2NOSA1是一款高性能的IGBT模块,适用于各种工业应用场景。其额定电压为1700V,电流为3A。 2. 开关频率:该模块的开关频率可高达50kHz,适用于需要高频开
标题:Infineon(IR) IKB15N60TATMA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、简述产品 Infineon(IR) IKB15N60TATMA1是一款高性能的功率半导体IGBT,其额定电压为600V,额定电流为30A,最大功率可达130W。该器件采用了TO263-3封装,使其具有优良的热性能和机械性能,适合于各种工业和商业应用场景。 二、技术特点 Infineon(IR) IKB15N60TATMA1 IGBT的主要技术特点包括:高电压、大电流、高效率、低损耗等。其独特的结构