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标题:Infineon(IR) IKW08N120CS7XKSA1功率半导体器件在工业14PG-TO247-3技术中的解决方案应用介绍 随着科技的飞速发展,功率半导体器件在工业领域的应用越来越广泛。Infineon(IR)的IKW08N120CS7XKSA1功率半导体器件,以其卓越的性能和稳定性,成为了工业应用中的重要一员。本文将详细介绍该器件的技术特点和方案应用。 首先,让我们了解一下IKW08N120CS7XKSA1的规格参数。该器件是一款N沟道功率MOSFET,其耐压值为80V,电流容量
Infineon品牌IKW30N65WR5XKSA1半导体IGBT TRENCH 650V 60A TO247-3技术详解及方案介绍 Infineon品牌的IKW30N65WR5XKSA1半导体IGBT是一款性能卓越的TRENCH 650V 60A TO247-3型号产品,具有出色的性能和多种应用方案。本文将详细介绍该产品的技术特点和应用方案。 一、技术特点 1. 芯片设计:采用先进的TRENCH 650V技术,使芯片能够在高压环境下稳定工作。 2. 结构特点:TO247-3封装形式,具有高功
一、概述 Infineon英飞凌FF400R12KE3HOSA1模块是一款高性能的IGBT模块,适用于各种电力电子应用场景,如电源、电机驱动、太阳能逆变器等。该模块具有1200V的电压耐压,能够承受高达580A的电流,总功率达到2000W。 二、参数详解 1. 电压耐压:该模块的电压耐压为1200V,这意味着它可以承受相当高的电压,保证了在运行过程中的安全性和稳定性。 2. 电流容量:模块的电流容量为580A,这意味着它可以处理相当大的电流,适用于需要高功率的场合。 3. 功率:该模块的总功率
标题:Infineon(IR) IKW40N65ET7XKSA1功率半导体IKW40N65ET7XKSA1的技术与方案应用介绍 Infineon(IR)的IKW40N65ET7XKSA1功率半导体,以其卓越的性能和广泛的应用领域,成为了当今电子行业的明星产品。这款功率半导体器件采用了先进的制造技术和独特的方案设计,为各类电子设备提供了强大的动力支持。 首先,让我们来了解一下IKW40N65ET7XKSA1的技术特点。它采用了Infineon(IR)的第六代SiC技术,具有高耐压、大电流、高效率
标题:Infineon品牌IHW15N120E1XKSA1半导体IGBT NPT/TRENCH 1200V 30A TO247的技术与方案介绍 Infineon的IHW15N120E1XKSA1半导体IGBT,是一款适用于各种电子设备的核心元件。其技术特点包括:1200V耐压,30A电流,以及NPT/TRENCH封装形式。这种封装形式提供了更高的散热性能和更低的电应力,使其在各种恶劣环境下都能保持高效运行。 在技术层面,IHW15N120E1XKSA1采用了先进的沟槽技术,这种技术可以显著降低
标题:Infineon(IR) IKWH60N65WR6XKSA1功率半导体IGBT及其TRENCH技术的应用和方案介绍 随着科技的飞速发展,功率半导体器件在各个领域的应用越来越广泛。其中,Infineon(IR)公司推出的IKWH60N65WR6XKSA1功率半导体IGBT以其卓越的性能和可靠性,备受关注。本文将围绕该器件的特性,以及其采用的TRENCH技术,介绍其在不同领域的应用方案。 一、IKWH60N65WR6XKSA1功率半导体IGBT的特性 IKWH60N65WR6XKSA1是一款
标题:Infineon品牌IKWH30N65WR6XSA1半导体IGBT TRENCH的技术与方案介绍 Infineon公司以其卓越的技术实力和创新能力,推出了一系列高性能的半导体产品,其中包括IKWH30N65WR6XSA1半导体IGBT TRENCH。这款产品以其独特的TRENCH技术,实现了更高的性能和更低的能耗,为现代电子设备提供了强大的支持。 IKWH30N65WR6XSA1半导体IGBT TRENCH采用了先进的TRENCH技术,将IGBT晶体管和电阻集成在同一块基板上,从而实现了
随着电子技术的不断发展,IGBT(绝缘栅双极晶体管)作为一种重要的功率半导体器件,在电力电子领域得到了广泛应用。Infineon英飞凌FP100R06KE3BOSA1模块IGBT MOD正是这一领域的佼佼者。本文将详细介绍该模块的参数及方案应用。 一、参数介绍 FP100R06KE3BOSA1模块IGBT MOD是一款具有高电压、大电流特性的产品,其主要参数如下: 1. 最大电压:600V; 2. 最大电流:100A; 3. 最大功率:335W; 4. 开关频率:高达15KHz; 5. 工作温
标题:Infineon(IR) IKWH40N65WR6XKSA1功率半导体IGBT及其TRENCH技术的应用介绍 随着科技的飞速发展,功率半导体器件在各种电子设备中的应用越来越广泛。Infineon(IR)的IKWH40N65WR6XKSA1功率半导体IGBT作为一种重要的功率电子器件,在各种高电压、大电流的场合发挥着关键作用。其采用的TRENCH技术更是提升了其性能和可靠性。 IKWH40N65WR6XKSA1 IGBT的特点在于其高耐压、大电流能力,以及其工作频率的高效性。其采用的新一代
标题:Infineon品牌IKD15N60RFATMA1半导体IGBT TRENCH/FS 600V 30A TO252-3技术解析与方案介绍 一、技术概述 Infineon品牌IKD15N60RFATMA1半导体IGBT,采用TRENCH/FS结构,600V 30A TO252-3封装,是一款高性能的功率半导体器件。该器件在高温、高压等恶劣环境下具有优异的工作性能,适用于各种工业应用和电源设备。 二、技术特点 1. 高效能:采用先进的生产工艺,具有高开关速度和低导通损耗,能有效地降低系统整体